NAND闪存控制器

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LatticeReferenceDesign-Logo无论是NOR或NAND结构的闪存,都是一种非易失性存储器,且具有低成本和多功能性,常用来取代传统的EEPROM和硬盘,。由于存储单元互连的不同结构, NOR闪存以随机存取功能而著称,而NAND闪存的特点是其小巧的尺寸。在需要用最小尺寸提供最高密度的存储器的应用中,这一点尤其重要。

这个参考设计是针对Samsung K9F1G08R0A NAND闪存的。它支持复位、读ID、块擦除,页编程和读叶命令。读状态命令是用于支持编程和擦除操作。在这个设计中,不执行其他的命令。这个设计实现了一个简单的主接口,使设计者可以灵活地修改此接口,以满足他们的主机接口系统的要求。

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框图

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性能和大小

经测试的器件* 语言 性能 I/O引脚 设计所用资源 版本
LCMXO2-1200HC-4TG144CES Verilog > 80 MHz 69 434 LUTs, 2 EBRs 1.2
LCMXO2-1200HC-4TG144CES VHDL > 80 MHz 69 398 LUTs, 2 EBRs 1.2
LCMXO2280C-5T100C Verilog > 80 MHz 69 455 LUTs, 2 EBRs 1.2
LCMXO2280C-5T100C VHDL > 80 MHz 69 459 LUTs, 2 EBRs 1.2
LFXP2-5E-7M132C Verilog > 80 MHz 69 519 LUTs, 1 EBR 1.2
LCMXO2280C-5T100C VHDL > 80 MHz 69 515 LUTs, 2 EBRs 1.2

* 可能可以用其他器件工作。

注:以上所示的性能和设计尺寸只是估计。实际的结果可能会有所不同,取决于所选择的参数、时序约束、和所用器件。更详细的信息请参阅设计文件。除非另有说明,所有的代码和设计工作都是在PC平台上完成的。

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NAND Flash Controller Design - Documentation
FPGA-RD-02095 1.3 1/22/2021 PDF 1.6 MB
NAND Flash Controller - Source Code
RD1055 1.4 11/8/2014 ZIP 912.7 KB